Sappiamo che la memoria DDR5 di nuova generazione sarà veloce. La velocità con cui può arrivare dipenderà da una moltitudine di fattori. Attualmente, molte aziende stanno lavorando su questo aspetto e ieri è emerso un rapporto dall’outlet IT Home che afferma che un’azienda cinese di memorie chiamata ” Netac Technology ” sta pianificando di costruire moduli DRAM DDR5 in grado di funzionare a oltre 10.000 MHz. Sebbene non sia confermato, ciò che la notizia effettiva dovrebbe significare è che la nuova memoria di Netac può fare più di 10.000 MT / s al secondo.
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La società sta presumibilmente utilizzando i chip di memoria IFA45 Z9ZSB di Micron a partire da moduli da 16 GB (2Gx8) per ora. I chip sono costruiti sul nodo di processo DRAM da 1z nm di Micron ed eseguono sub-timing 40-40-40. L’anno scorso Micron ha dichiarato che la sua memoria DDR5 può arrivare fino a 6.400 MT / se 10.000 è sicuramente un numero molto più alto di quello.
Netac non è l’unica azienda che è stata recentemente nelle notizie in relazione alla realizzazione di prodotti DDR5 incredibili ed entusiasmanti in arrivo. Samsung ha recentemente annunciato che sta costruendo il primo modulo DDR5 da 512 GB al mondo , anche se non sarebbe veloce come la soluzione Netac e raggiungerà i 7.200 MT / s. Il modulo da 512 GB è stato progettato per essere utilizzato in ambienti aziendali ad alte prestazioni come server e simili, ma ci aspettiamo che i kit da 10.000 MHz di Netac siano principalmente parti di gioco.
Fonte: IT Home
