SAMSUNG ha annunciato di aver iniziato a produrre chip a 3 nanometri che offrono prestazioni migliorate utilizzando meno energia. La società ha affermato che i suoi chip inizialmente mireranno al computing a bassa potenza con piani per espandersi nei processori mobili. SAMSUNG utilizza l’architettura a transistor Gate-All-Around per fornire questi chip.
I chip da 3 nm di prima generazione offriranno un consumo energetico ridotto fino al 45%, le prestazioni saranno migliorate del 23% e l’area utilizzata sarà ridotta del 16% rispetto ai chip da 5 nm. SAMSUNG ha anche un occhio al futuro e ha affermato che i chip da 3 nm di seconda generazione ridurranno il consumo energetico del 50%, miglioreranno le prestazioni del 30% e ridurranno l’utilizzo dell’area del 35%.
A commentare la notizia, il dottor Siyoung Choi, Presidente e Head of Foundry Business di Samsung Elettronica, ha detto:
“Samsung è cresciuta rapidamente mentre continuiamo a dimostrare la leadership nell’applicazione di tecnologie di nuova generazione alla produzione, come il primo High-K Metal Gate del settore della fonderia, FinFET e EUV. Cerchiamo di continuare questa leadership con il primo processo a 3 nm al mondo con MBCFET. Continueremo l’innovazione attiva nello sviluppo di tecnologie competitive e creeremo processi che aiutano ad accelerare il raggiungimento della maturità della tecnologia”.
SAMSUNG non ha rivelato quando i consumatori dovrebbero aspettarsi chip da 3 nm nei suoi smartphone di punta, ma la società ospita eventi Unpacked più volte all’anno, quindi non appena la tecnologia sarà pronta, non ci vorrà molto per spedirla nei dispositivi.