SAMSUNG ha introdotto un risultato “rivoluzionario”: l’HBM3E 12H . Ciò rappresenta potenzialmente una pietra miliare significativa in quanto la prima DRAM HBM3E a 12 stack del settore, che vanta “il prodotto HBM con la capacità più elevata fino ad oggi”.
L’HBM3E 12H offre una larghezza di banda fino a 1.280 gigabyte al secondo (GB/s), abbinata a una capacità di archiviazione di 36 gigabyte. Entrambi gli aspetti hanno visto un miglioramento di oltre il 50% rispetto all’HBM3 8H a 8 stack. SAMSUNG ha utilizzato una pellicola non conduttiva a compressione termica avanzata (TC NCF) nella configurazione a 12 strati, mantenendo le stesse specifiche di altezza della controparte a 8 strati per soddisfare i requisiti dei contenitori HBM esistenti.
Il vicepresidente esecutivo della pianificazione dei prodotti di memoria di Samsung, Yongcheol Bae, ha dichiarato:
I fornitori di servizi IA del settore richiedono sempre più HBM con capacità più elevata e il nostro nuovo prodotto HBM3E 12H è stato progettato per rispondere a tale esigenza. Questa nuova soluzione di memoria fa parte del nostro impegno verso lo sviluppo di tecnologie core per HBM high-stack e la fornitura di leadership tecnologica per il mercato HBM ad alta capacità nell’era dell’intelligenza artificiale.
Questo progresso tecnologico è destinato a offrire ulteriori vantaggi, in particolare perché il settore affronta i problemi di deformazione della matrice del chip associati a matrice più sottile in stack più alti. Secondo il colosso della tecnologia, il suo impegno nel ridurre lo spessore del materiale NCF ha portato al più piccolo spazio tra i chip del settore, pari a sette micrometri (μm), e all’eliminazione dei vuoti tra gli strati. Di conseguenza, c’è stato un miglioramento della densità verticale, superiore al 20% rispetto all’HBM3 8H.
L’uso del TC NCF di Samsung si estende al miglioramento delle proprietà termiche dell’HBM. Ciò si ottiene consentendo la distribuzione di protuberanze di varie dimensioni tra i chip. Durante il processo di incollaggio del chip, vengono posizionati rilievi più piccoli nelle aree di segnalazione, mentre quelli più grandi sono designati per un’efficace dissipazione del calore.
Si prevede che l’adozione dell’HBM3E 12H nelle applicazioni IA comporterà un aumento del 34% della velocità media per l’addestramento dell’IA, con il potenziale di espandere il numero di utenti simultanei dei servizi di inferenza di oltre 11,5 volte.
SAMSUNG ha iniziato il campionamento dell’HBM3E 12H ai clienti, con la produzione di massa prevista per la prima metà di quest’anno.
