Con l’uso del silicio nella produzione di semiconduttori che si avvicina ai suoi limiti negli ultimi anni, i produttori di chip sono costantemente alla ricerca di nuovi materiali che consentano loro di continuare a ridurre i loro processi di produzione, il che a sua volta consentirà loro di imballare più transistor nella stessa area.
Per non essere superato dal recente annuncio di IBM della sua tecnologia nanosheet a 2 nanometri , TSMC, il più grande produttore mondiale di semiconduttori a contratto, in collaborazione con la National University of Taiwan e il Massachusetts Institute of Technology, hanno annunciato lo sviluppo di un tale materiale chiamato semi- bismuto metallico, che sperano consentirà la produzione di chip da 1 nanometro nei prossimi anni.
Man mano che i processi di fabbricazione si riducono, i produttori di chip devono affrontare il problema di una maggiore resistenza e minori correnti sugli elettrodi di contatto dei transistor, che sono responsabili di portare alimentazione ai transistor. Secondo i risultati della ricerca pubblicati sulla rivista Nature (paywall) a cui TomsHardware accede , utilizzando bismuto semi-metallico come elettrodo di contatto del transistor, l’azienda ei suoi partner affermano di poter ridurre significativamente la resistenza aumentando contemporaneamente la corrente che può essere trasferita .
La tecnologia è ancora in fase sperimentale e la produzione di grandi volumi di chip da 1 nanometro è lontana molti anni. L’attuale processo di produzione di volume top di gamma di TSMC è il suo nodo a 5 nanometri , mentre la società ha anche dichiarato che inizierà la produzione a rischio di chip a 3 nanometri quest’anno.
